Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Charmi M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Charmi M. 
Design Considerations of Structural Parameters in Resonant Tunneling Diode by None-Equilibrium Green Function Method [Електронний ресурс] / M. Charmi // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04026-1-04026-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_28
This paper presents the effects of structural parameters like Quantum well width, barrier width, spacer width, contact width and contact doping, on performance of Resonant Tunneling Diode using full quantum simulation. The simulation is based on a self-consistent solution of the Poisson equation and Schrodinger equation with open boundary conditions, within the non-equilibrium Green's function formalism. The effects of varying the structural parameters is investigated in terms of the output current, peak current, valley current, peak to valley current ratio and the voltage associated with the peak current. Simulation results illustrate that the device performance can be improved by proper selection of the structural parameters.
Попередній перегляд:   Завантажити - 354.244 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Charmi M. 
Effect of the Conduction Band Offset on the Performance of GaAs/AlxGa1 – xAs Resonant Tunneling Diode [Електронний ресурс] / M. Charmi // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 2. - С. 02007-1-02007-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_2_9
Проведено дослідження впливу зсуву зони провідності та молярної частки алюмінію на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 - xAs з використанням повного квантового моделювання. Моделювання базується на самоузгодженому розв'язанні рівняння Пуассона та рівняння Шредінгера з відкритими граничними умовами в межах формалізму нерівноважної функції Гріна. Структура резонансного тунельного діода складається з вузької забороненої зони 2 нм, квантова яма GaAs затиснута між двома тонкими широкозонними бар'єрами з AlGaAs шириною 2 нм. Ці три шари затиснуто між двома нелегованими роздільними шарами з GaAs шириною 15 нм, які з'єднані з двома великими резервуарами контактів GaAs з високим вмістом легуючих домішок (10<^>18 см<^>-3).
Попередній перегляд:   Завантажити - 292.429 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського